FDMA530PZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.52 грн |
| 10+ | 58.43 грн |
| 100+ | 38.73 грн |
| 500+ | 28.42 грн |
| 1000+ | 25.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA530PZ onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V.
Інші пропозиції FDMA530PZ за ціною від 22.43 грн до 101.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMA530PZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs -30V P-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 14213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMA530PZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFETVgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
на замовлення 1238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |

