FDMA6023PZT ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.6A; 1.4W; MicroFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Case: MicroFET
Gate charge: 17nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 69.65 грн |
| 10+ | 36.16 грн |
| 25+ | 32.69 грн |
| 31+ | 26.77 грн |
| 84+ | 25.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA6023PZT ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: µFET, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 1.4W, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції FDMA6023PZT за ціною від 20.11 грн до 83.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
+1 |
FDMA6023PZT | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.6A; 1.4W; MicroFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Case: MicroFET Gate charge: 17nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.6A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 338 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMA6023PZT | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMA6023PZT | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET Packaging: Bulk Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) |
на замовлення 88530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMA6023PZT | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 375297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMA6023PZT | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) |
на замовлення 9995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMA6023PZT | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm Anzahl der Pins: 6Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Produktpalette: - Bauform - Transistor: µFET Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds: 20V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id: 3.6A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 1.4W SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 375297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMA6023PZT | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMA6023PZT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R |
товар відсутній |