Продукція > ONSEMI > FDMA8051L
FDMA8051L

FDMA8051L onsemi

fdma8051l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+30.59 грн
6000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMA8051L onsemi

Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 2.4W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.

Інші пропозиції FDMA8051L за ціною від 31.46 грн до 113.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMA8051L FDMA8051L onsemi fdma8051l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.91 грн
10+69.77 грн
100+46.65 грн
500+34.47 грн
1000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8051L FDMA8051L ON Semiconductor / Fairchild FDMA8051L-1305541.pdf MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22
на замовлення 4056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8051L FDMA8051L onsemi / Fairchild FDMA8051L_D-2312324.pdf MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22
на замовлення 14806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8051L FDMA8051L ONSEMI 2724468.pdf Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8051L FDMA8051L ONSEMI 2724468.pdf Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8051L fdma8051l-d.pdf
FDMA8051L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.91 грн
10+69.77 грн
100+46.65 грн
500+34.47 грн
1000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8051L FDMA8051L-1305541.pdf
FDMA8051L
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22
на замовлення 4056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8051L FDMA8051L_D-2312324.pdf
FDMA8051L
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22
на замовлення 14806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8051L 2724468.pdf
FDMA8051L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8051L 2724468.pdf
FDMA8051L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.