Продукція > ONSEMI > FDMA86108LZ
FDMA86108LZ

FDMA86108LZ onsemi

fdma86108lz-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.53 грн
6000+32.38 грн
9000+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMA86108LZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDMA86108LZ за ціною від 29.04 грн до 132.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMA86108LZ FDMA86108LZ Виробник : onsemi / Fairchild fdma86108lz-d.pdf MOSFETs Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 17402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.15 грн
10+69.31 грн
100+42.13 грн
500+34.11 грн
1000+30.73 грн
3000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86108LZ FDMA86108LZ Виробник : onsemi fdma86108lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 53131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.92 грн
10+80.91 грн
100+52.52 грн
500+39.06 грн
1000+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86108LZ FDMA86108LZ Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMA86108LZ-D-1807090.pdf MOSFET FET 100V 243.0 MOHM MLP
на замовлення 4247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86108LZ Виробник : ONN fdma86108lz-d.pdf
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.