Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMA86108LZ
FDMA86108LZ

FDMA86108LZ ON Semiconductor

fdma86108lzjp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMA86108LZ ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMA86108LZ за ціною від 32.25 грн до 133.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMA86108LZ FDMA86108LZ Виробник : onsemi fdma86108lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.74 грн
6000+32.57 грн
9000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86108LZ FDMA86108LZ Виробник : onsemi fdma86108lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V
на замовлення 53131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.70 грн
10+81.38 грн
100+52.83 грн
500+39.29 грн
1000+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86108LZ FDMA86108LZ Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMA86108LZ-D-1807090.pdf MOSFET FET 100V 243.0 MOHM MLP
на замовлення 4247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86108LZ Виробник : ONSEMI fdma86108lz-d.pdf FDMA86108LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.