FDMA86108LZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 34.80 грн |
| 6000+ | 31.71 грн |
| 9000+ | 31.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA86108LZ onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDMA86108LZ за ціною від 34.18 грн до 130.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMA86108LZ | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFETInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 53131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMA86108LZ | ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET FET 100V 243.0 MOHM MLP |
на замовлення 4247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
FDMA86108LZ | onsemi / Fairchild |
MOSFETs Single N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 17402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMA86108LZ | ONN |
|
на замовлення 2320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMA86108LZ |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 53131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 130.18 грн |
| 10+ | 79.25 грн |
| 100+ | 51.44 грн |
| 500+ | 38.26 грн |
| 1000+ | 34.18 грн |
| FDMA86108LZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET FET 100V 243.0 MOHM MLP
MOSFET FET 100V 243.0 MOHM MLP
на замовлення 4247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMA86108LZ |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Single N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 17402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMA86108LZ |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


