Продукція > ONSEMI > FDMA86151L
FDMA86151L

FDMA86151L ONSEMI


2729239.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.06 грн
500+40.57 грн
1000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMA86151L ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMA86151L за ціною від 31.46 грн до 115.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMA86151L FDMA86151L Виробник : onsemi / Fairchild FDMA86151L-D.pdf MOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.51 грн
10+50.10 грн
100+42.61 грн
500+40.78 грн
1000+34.01 грн
3000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151L FDMA86151L Виробник : ONSEMI 2729239.pdf Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+68.62 грн
17+53.52 грн
100+52.18 грн
500+46.30 грн
1000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151L FDMA86151L Виробник : onsemi fdma86151l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.12 грн
10+89.86 грн
100+70.02 грн
500+54.29 грн
1000+42.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151L FDMA86151L Виробник : onsemi FDMA86151L-D.pdf MOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.23 грн
10+81.16 грн
100+51.61 грн
500+40.78 грн
1000+37.28 грн
3000+32.82 грн
6000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151L FDMA86151L Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMA86151L-1305630.pdf MOSFET FET 100V 88.0 MOHM MLP22
на замовлення 12428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151L FDMA86151L Виробник : onsemi fdma86151l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.