Продукція > ONSEMI > FDMA86151L
FDMA86151L

FDMA86151L ONSEMI


2729239.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.45 грн
500+40.87 грн
1000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMA86151L ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMA86151L за ціною від 31.69 грн до 116.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMA86151L FDMA86151L Виробник : onsemi / Fairchild FDMA86151L-D.pdf MOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.99 грн
10+50.47 грн
100+42.92 грн
500+41.08 грн
1000+34.26 грн
3000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151L FDMA86151L Виробник : ONSEMI 2729239.pdf Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+69.12 грн
17+53.91 грн
100+52.56 грн
500+46.63 грн
1000+40.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151L FDMA86151L Виробник : onsemi fdma86151l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.88 грн
10+90.51 грн
100+70.53 грн
500+54.68 грн
1000+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151L FDMA86151L Виробник : onsemi FDMA86151L-D.pdf MOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.06 грн
10+81.74 грн
100+51.99 грн
500+41.08 грн
1000+37.55 грн
3000+33.05 грн
6000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151L FDMA86151L Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMA86151L-1305630.pdf MOSFET FET 100V 88.0 MOHM MLP22
на замовлення 12428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151L FDMA86151L Виробник : onsemi fdma86151l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.