Продукція > ONSEMI > FDMA86151L
FDMA86151L

FDMA86151L onsemi

fdma86151l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.54 грн
10+80.81 грн
100+62.97 грн
500+48.82 грн
1000+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMA86151L onsemi

Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 2.4W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

Інші пропозиції FDMA86151L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMA86151L FDMA86151L ONSEMI 2729239.pdf Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151L FDMA86151L ON Semiconductor / Fairchild FDMA86151L-1305630.pdf MOSFET FET 100V 88.0 MOHM MLP22
на замовлення 12428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151L FDMA86151L onsemi / Fairchild FDMA86151L-D.pdf MOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151L 2729239.pdf
FDMA86151L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151L FDMA86151L-1305630.pdf
FDMA86151L
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET FET 100V 88.0 MOHM MLP22
на замовлення 12428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151L FDMA86151L-D.pdf
FDMA86151L
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.