FDMA86251 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V
на замовлення 16995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 28.78 грн |
| 6000+ | 26.39 грн |
| 9000+ | 25.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA86251 onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V.
Інші пропозиції FDMA86251 за ціною від 23.62 грн до 74.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMA86251 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA86251 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V |
на замовлення 16995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA86251 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V Single N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 15954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMA86251 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.4A; Idm: 12A; 2.4W; MicroFET Drain-source voltage: 150V Drain current: 2.4A On-state resistance: 0.175Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 4.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 12A Mounting: SMD Case: MicroFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| FDMA86251 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.4A; Idm: 12A; 2.4W; MicroFET Drain-source voltage: 150V Drain current: 2.4A On-state resistance: 0.175Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 4.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 12A Mounting: SMD Case: MicroFET |
товару немає в наявності |