Продукція > ONSEMI > FDMA86251
FDMA86251

FDMA86251 onsemi

fdma86251-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.47 грн
6000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMA86251 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDMA86251 за ціною від 21.82 грн до 108.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMA86251 FDMA86251 Виробник : onsemi / Fairchild FDMA86251-D.pdf MOSFETs 150V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 15788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.57 грн
10+55.25 грн
100+34.86 грн
500+28.03 грн
1000+25.80 грн
3000+22.87 грн
6000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86251 FDMA86251 Виробник : onsemi fdma86251-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.25 грн
10+65.49 грн
100+43.57 грн
500+32.05 грн
1000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86251 Виробник : ONSEMI fdma86251-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.4A; Idm: 12A; 2.4W; MicroFET
Case: MicroFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 12A
Drain current: 2.4A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.175Ω
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.