FDMA8878 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.013 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 23.46 грн |
| 36+ | 21.29 грн |
| 38+ | 20.1 грн |
| 100+ | 18.04 грн |
| 250+ | 15.3 грн |
| 500+ | 14.22 грн |
| 1000+ | 13.13 грн |
| 3000+ | 12.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA8878 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.013 ohm, µFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: µFET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDMA8878 за ціною від 39.69 грн до 107.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMA8878 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V |
на замовлення 1633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA8878 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W |
на замовлення 6506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA8878 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W |
на замовлення 4358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FDMA8878 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 2.4W; WDFN6 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: WDFN6 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
FDMA8878 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMA8878 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 2.4W; WDFN6 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: WDFN6 |
товар відсутній |