Продукція > ONSEMI > FDMA8878
FDMA8878

FDMA8878 ONSEMI

2277462.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.013 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.90 грн
36+24.42 грн
38+23.04 грн
100+20.68 грн
250+17.55 грн
500+16.30 грн
1000+15.05 грн
3000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMA8878 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMA8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.013 ohm, µFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: µFET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMA8878 за ціною від 40.79 грн до 100.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMA8878 FDMA8878 Виробник : onsemi fdma8878-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.99 грн
6000+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8878 FDMA8878 Виробник : onsemi fdma8878-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 7114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.30 грн
10+72.39 грн
100+55.72 грн
500+48.79 грн
1000+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8878 FDMA8878 Виробник : onsemi / Fairchild FDMA8878-D.PDF MOSFETs N-CHAN 30V 9A 2.4W
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.68 грн
10+76.32 грн
100+52.62 грн
500+48.34 грн
1000+46.97 грн
3000+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8878 FDMA8878 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMA8878-D-1807750.pdf MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W
на замовлення 4358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8878 Виробник : ONSEMI fdma8878-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 2.4W; WDFN6
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: WDFN6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.