FDMA905P onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 16.23 грн |
| 6000+ | 14.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA905P onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V.
Інші пропозиції FDMA905P за ціною від 14.07 грн до 70.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMA905P | onsemi / Fairchild |
MOSFETs -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET |
на замовлення 5171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMA905P | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V |
на замовлення 31443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMA905P | ONN |
|
на замовлення 1890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMA905P |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET
MOSFETs -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET
на замовлення 5171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.34 грн |
| 10+ | 40.03 грн |
| 100+ | 23.84 грн |
| 500+ | 19.06 грн |
| 1000+ | 17.23 грн |
| 3000+ | 15.26 грн |
| 6000+ | 14.07 грн |
| FDMA905P |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V
на замовлення 31443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.41 грн |
| 10+ | 42.59 грн |
| 100+ | 27.77 грн |
| 500+ | 20.08 грн |
| 1000+ | 18.14 грн |

