Продукція > ONSEMI > FDMA908PZ
FDMA908PZ

FDMA908PZ onsemi

fdma908pz-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V
на замовлення 23650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.37 грн
6000+21.73 грн
9000+20.84 грн
15000+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMA908PZ onsemi

Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0125 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, Verlustleistung: 2.4W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: MicroFET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm.

Інші пропозиції FDMA908PZ за ціною від 19.59 грн до 95.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMA908PZ FDMA908PZ onsemi / Fairchild FDMA908PZ_D-2312268.pdf MOSFET Single P-Channel PowerTrench MOSFET -12V, -12A, 12.5mohm
на замовлення 86094 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+66.22 грн
10+55.25 грн
100+38.06 грн
500+30.41 грн
1000+24.32 грн
3000+20.27 грн
6000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA908PZ FDMA908PZ onsemi fdma908pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V
на замовлення 23804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.81 грн
10+57.72 грн
100+38.07 грн
500+27.81 грн
1000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA908PZ FDMA908PZ ONSEMI 2552623.pdf Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0125 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA908PZ FDMA908PZ ONSEMI 2552623.pdf Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0125 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA908PZ FDMA908PZ_D-2312268.pdf
FDMA908PZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET Single P-Channel PowerTrench MOSFET -12V, -12A, 12.5mohm
на замовлення 86094 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.22 грн
10+55.25 грн
100+38.06 грн
500+30.41 грн
1000+24.32 грн
3000+20.27 грн
6000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA908PZ fdma908pz-d.pdf
FDMA908PZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V
на замовлення 23804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.81 грн
10+57.72 грн
100+38.07 грн
500+27.81 грн
1000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA908PZ 2552623.pdf
FDMA908PZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0125 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA908PZ 2552623.pdf
FDMA908PZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0125 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.