Продукція > ONSEMI > FDMB2308PZ
FDMB2308PZ

FDMB2308PZ ONSEMI

2907488.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+99.50 грн
500+73.99 грн
1000+62.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMB2308PZ ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMB2308PZ за ціною від 58.64 грн до 213.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMB2308PZ FDMB2308PZ onsemi fdmb2308pz-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.51 грн
10+118.05 грн
100+81.30 грн
500+62.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZ FDMB2308PZ onsemi fdmb2308pz-d.pdf MOSFETs Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.11 грн
10+129.69 грн
100+79.65 грн
500+66.04 грн
1000+58.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZ FDMB2308PZ ONSEMI 2907488.pdf Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.80 грн
10+134.03 грн
100+99.50 грн
500+73.99 грн
1000+62.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZ fdmb2308pz-d.pdf
FDMB2308PZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+189.51 грн
10+118.05 грн
100+81.30 грн
500+62.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZ fdmb2308pz-d.pdf
FDMB2308PZ
Виробник: onsemi
MOSFETs Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+203.11 грн
10+129.69 грн
100+79.65 грн
500+66.04 грн
1000+58.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZ 2907488.pdf
FDMB2308PZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+213.80 грн
10+134.03 грн
100+99.50 грн
500+73.99 грн
1000+62.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.