Продукція > ONSEMI > FDMB2308PZ
FDMB2308PZ

FDMB2308PZ onsemi


fdmb2308pz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+63.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMB2308PZ onsemi

Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.027 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDMB2308PZ за ціною від 61.35 грн до 213.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMB2308PZ FDMB2308PZ Виробник : ONSEMI fdmb2308pz-d.pdf Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.68 грн
500+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZ FDMB2308PZ Виробник : onsemi / Fairchild FDMB2308PZ_D-1807204.pdf MOSFETs Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.40 грн
10+125.76 грн
100+79.26 грн
500+65.10 грн
1000+61.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZ FDMB2308PZ Виробник : ONSEMI fdmb2308pz-d.pdf Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.36 грн
10+131.73 грн
100+94.68 грн
500+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZ FDMB2308PZ Виробник : onsemi fdmb2308pz-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active
на замовлення 8954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.56 грн
10+133.25 грн
100+91.82 грн
500+69.52 грн
1000+64.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB2308PZ Виробник : ONSEMI fdmb2308pz-d.pdf FDMB2308PZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.