на замовлення 16494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.47 грн |
| 10+ | 84.40 грн |
| 100+ | 57.17 грн |
| 500+ | 48.22 грн |
| 1000+ | 38.97 грн |
| 3000+ | 36.55 грн |
| 6000+ | 34.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMB3800N onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDMB3800N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: FET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDMB3800N за ціною від 33.94 грн до 115.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMB3800N | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDMB3800N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.032 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: FET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMB3800N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 750mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9) Part Status: Active |
на замовлення 2471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDMB3800N | Виробник : FAIRCHILD |
|
на замовлення 129 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
FDMB3800N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FDMB3800N | Виробник : ONSEMI |
FDMB3800N Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
FDMB3800N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 750mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9) Part Status: Active |
товару немає в наявності |