Продукція > ONSEMI > FDMB3800N
FDMB3800N

FDMB3800N onsemi

FDMB3800N-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.38 грн
6000+23.61 грн
9000+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMB3800N onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 750mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9), Part Status: Active.

Інші пропозиції FDMB3800N за ціною від 27.18 грн до 99.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMB3800N FDMB3800N onsemi FDMB3800N-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active
на замовлення 10662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.96 грн
10+60.82 грн
100+40.50 грн
500+29.82 грн
1000+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3800N FDMB3800N onsemi / Fairchild FDMB3800N-D.PDF MOSFETs 30V Dual N-Channel PwrTrch MOSFET
на замовлення 14012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3800N FAIRCHILD FDMB3800N-D.PDF
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3800N FDMB3800N-D.PDF
FDMB3800N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active
на замовлення 10662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.96 грн
10+60.82 грн
100+40.50 грн
500+29.82 грн
1000+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3800N FDMB3800N-D.PDF
FDMB3800N
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V Dual N-Channel PwrTrch MOSFET
на замовлення 14012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMB3800N FDMB3800N-D.PDF
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.