Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDMB3900AN

FDMB3900AN onsemi / Fairchild

Name: FDMB3900AN
Brand: onsemi / Fairchild
SKU: 5054809-4
Price: 349.88 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 25V Dual N-Chanenl

на замовлення 4929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	87.47 грн
10+	75.72 грн
100+	50.48 грн
500+	39.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDMB3900AN onsemi / Fairchild

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 7A; Idm: 28A; 1.6W; MicroFET, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 7A, On-state resistance: 33mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 1.6W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 17nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 28A, Case: MicroFET, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції FDMB3900AN

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FDMB3900AN	Виробник : ON Semiconductor	Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP	на замовлення 3427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FDMB3900AN	Виробник : ON Semiconductor	Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP	на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FDMB3900AN	Виробник : ON Semiconductor		на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FDMB3900AN	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDMB3900AN	Виробник : ONSEMI	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 7A; Idm: 28A; 1.6W; MicroFET Mounting: SMD Drain-source voltage: 25V Drain current: 7A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 28A Case: MicroFET кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDMB3900AN	Виробник : ONSEMI	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 7A; Idm: 28A; 1.6W; MicroFET Mounting: SMD Drain-source voltage: 25V Drain current: 7A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 28A Case: MicroFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.