на замовлення 4929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.95 грн |
| 10+ | 77.00 грн |
| 100+ | 51.33 грн |
| 500+ | 40.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMB3900AN onsemi / Fairchild
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 7A; Idm: 28A; 1.6W; MicroFET, Mounting: SMD, On-state resistance: 33mΩ, Power dissipation: 1.6W, Drain current: 7A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 25V, Pulsed drain current: 28A, Type of transistor: N-MOSFET x2, Case: MicroFET, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Gate charge: 17nC.
Інші пропозиції FDMB3900AN
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMB3900AN | Виробник : ON Semiconductor |
 Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP |
на замовлення 3427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
FDMB3900AN | Виробник : ON Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDMB3900AN | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FDMB3900AN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|
| FDMB3900AN | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 7A; Idm: 28A; 1.6W; MicroFET Mounting: SMD On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 1.6W Drain current: 7A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 25V Pulsed drain current: 28A Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: MicroFET Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC |
товару немає в наявності |