
FDMC007N08LC onsemi

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 69.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC007N08LC onsemi
Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDMC007N08LC за ціною від 65.75 грн до 219.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMC007N08LC | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 48328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDMC007N08LC | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V |
на замовлення 8059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDMC007N08LC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
FDMC007N08LC | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |