Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMC007N08LCDC
FDMC007N08LCDC

FDMC007N08LCDC ON Semiconductor

fdmc007n08lcdcd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
FDMC007N08LCDC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
211+67.23 грн
216+65.54 грн
221+61.79 грн
250+57.10 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC007N08LCDC ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6800 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMC007N08LCDC за ціною від 96.77 грн до 421.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMC007N08LCDC FDMC007N08LCDC onsemi fdmc007n08lcdc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+96.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDC FDMC007N08LCDC onsemi fdmc007n08lcdc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V
на замовлення 15582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.49 грн
10+178.29 грн
100+125.65 грн
500+107.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDC FDMC007N08LCDC ONSEMI ONSM-S-A0013933575-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.10 грн
10+217.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDC FDMC007N08LCDC onsemi fdmc007n08lcdc-d.pdf MOSFETs FET 80V 64A 6.8 mOhm
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+328.92 грн
10+211.55 грн
100+137.44 грн
500+110.66 грн
1000+107.84 грн
3000+100.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDC FDMC007N08LCDC ON Semiconductor fdmc007n08lcdcd.pdf FDMC007N08LCDC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+421.57 грн
10+277.22 грн
100+195.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDC FDMC007N08LCDC ONSEMI ONSM-S-A0013933575-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDC ON Semiconductor fdmc007n08lcdc-d.pdf
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDC fdmc007n08lcdc-d.pdf
FDMC007N08LCDC
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+96.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDC fdmc007n08lcdc-d.pdf
FDMC007N08LCDC
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V
на замовлення 15582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+281.49 грн
10+178.29 грн
100+125.65 грн
500+107.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDC ONSM-S-A0013933575-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMC007N08LCDC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+328.10 грн
10+217.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDC fdmc007n08lcdc-d.pdf
FDMC007N08LCDC
Виробник: onsemi
MOSFETs FET 80V 64A 6.8 mOhm
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+328.92 грн
10+211.55 грн
100+137.44 грн
500+110.66 грн
1000+107.84 грн
3000+100.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDC fdmc007n08lcdcd.pdf
FDMC007N08LCDC
Виробник: ON Semiconductor
FDMC007N08LCDC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+421.57 грн
10+277.22 грн
100+195.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDC ONSM-S-A0013933575-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMC007N08LCDC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC007N08LCDC fdmc007n08lcdc-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.