FDMC007N30D onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 106.36 грн |
| 10+ | 64.92 грн |
| 100+ | 43.18 грн |
| 500+ | 31.76 грн |
| 1000+ | 28.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC007N30D onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.9W, 2.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3), Part Status: Active.
Інші пропозиції FDMC007N30D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC007N30D | onsemi / Fairchild |
MOSFETs Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMC007N30D |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)