
FDMC010N08C onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 105.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC010N08C onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDMC010N08C за ціною від 95.88 грн до 300.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMC010N08C | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 5974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMC010N08C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDMC010N08C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2705 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDMC010N08C | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
FDMC010N08C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
FDMC010N08C | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |