Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMC012N03
FDMC012N03

FDMC012N03 ON Semiconductor

fdmc012n03-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
428+82.97 грн
500+74.68 грн
1000+68.87 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC012N03 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 0.00123 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 185A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 64W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMC012N03 за ціною від 35.07 грн до 280.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMC012N03 FDMC012N03 ON Semiconductor fdmc012n03-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+82.97 грн
500+74.68 грн
1000+68.87 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 FDMC012N03 ON Semiconductor fdmc012n03-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+82.97 грн
500+74.68 грн
1000+68.87 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 FDMC012N03 ON Semiconductor fdmc012n03-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+82.97 грн
500+74.68 грн
1000+68.87 грн
10000+59.21 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 FDMC012N03 ON Semiconductor fdmc012n03-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+82.97 грн
500+74.68 грн
1000+68.87 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 FDMC012N03 ONSEMI ONSM-S-A0003586662-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 0.00123 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.12 грн
500+89.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 FDMC012N03 ON Semiconductor fdmc012n03-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 8738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 FDMC012N03 ON Semiconductor fdmc012n03-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 8738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.61 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 FDMC012N03 onsemi fdmc012n03-d.pdf MOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.50 грн
10+111.94 грн
100+66.48 грн
500+59.37 грн
3000+38.04 грн
6000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 FDMC012N03 ONSEMI ONSM-S-A0003586662-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 0.00123 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.56 грн
10+124.84 грн
100+107.12 грн
500+89.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 FDMC012N03 onsemi fdmc012n03-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.36 грн
10+177.17 грн
100+124.39 грн
500+97.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 FDMC012N03 ON Semiconductor fdmc012n03-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 ONN fdmc012n03-d.pdf
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
FDMC012N03
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
428+82.97 грн
500+74.68 грн
1000+68.87 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
FDMC012N03
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
428+82.97 грн
500+74.68 грн
1000+68.87 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
FDMC012N03
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
428+82.97 грн
500+74.68 грн
1000+68.87 грн
10000+59.21 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
FDMC012N03
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
428+82.97 грн
500+74.68 грн
1000+68.87 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 ONSM-S-A0003586662-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMC012N03
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 0.00123 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+107.12 грн
500+89.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
FDMC012N03
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 8738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+116.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
FDMC012N03
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 8738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
122+116.61 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
FDMC012N03
Виробник: onsemi
MOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.50 грн
10+111.94 грн
100+66.48 грн
500+59.37 грн
3000+38.04 грн
6000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 ONSM-S-A0003586662-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMC012N03
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 0.00123 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+142.56 грн
10+124.84 грн
100+107.12 грн
500+89.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
FDMC012N03
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+280.36 грн
10+177.17 грн
100+124.39 грн
500+97.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
FDMC012N03
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC012N03 fdmc012n03-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.