
FDMC0202S ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMC0202S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1456+ | 27.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC0202S ONSEMI
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V.
Інші пропозиції FDMC0202S за ціною від 17.83 грн до 17.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMC0202S | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V |
на замовлення 14629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|