
FDMC0310AS-F127 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 25.12 грн |
6000+ | 23.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC0310AS-F127 onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 100A; 36W; MLP8, Case: MLP8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: PowerTrench®, Polarisation: unipolar, Gate charge: 52nC, On-state resistance: 5.8mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Drain current: 21A, Drain-source voltage: 30V, Power dissipation: 36W, Pulsed drain current: 100A, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDMC0310AS-F127 за ціною від 23.14 грн до 89.10 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMC0310AS-F127 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V |
на замовлення 32742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMC0310AS-F127 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDMC0310AS-F127 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
FDMC0310AS-F127 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 100A; 36W; MLP8 Case: MLP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Gate charge: 52nC On-state resistance: 5.8mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 21A Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 36W Pulsed drain current: 100A Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
FDMC0310AS-F127 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 100A; 36W; MLP8 Case: MLP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Gate charge: 52nC On-state resistance: 5.8mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 21A Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 36W Pulsed drain current: 100A Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |