FDMC0310AS-F127 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 25.53 грн |
| 6000+ | 22.83 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC0310AS-F127 onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDMC0310AS-F127 за ціною від 31.89 грн до 107.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMC0310AS-F127 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDMC0310AS-F127 | onsemi |
MOSFETs Computing MOSFET |
на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMC0310AS-F127 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDMC0310AS-F127 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 107.38 грн |
| 10+ | 65.29 грн |
| 50+ | 48.74 грн |
| 100+ | 40.72 грн |
| 500+ | 31.89 грн |
| FDMC0310AS-F127 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs Computing MOSFET
MOSFETs Computing MOSFET
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMC0310AS-F127 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 720+ | 49.17 грн |
| 1000+ | 45.34 грн |