Продукція > ONSEMI > FDMC2523P
FDMC2523P

FDMC2523P onsemi

fdmc2523p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+47.04 грн
6000+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC2523P onsemi

Description: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMC2523P за ціною від 44.22 грн до 121.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC2523P FDMC2523P Виробник : ON Semiconductor 3661759815902758fdmc2523p.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+54.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P FDMC2523P Виробник : ONSEMI 2303953.pdf Description: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.08 грн
500+58.47 грн
1000+52.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P FDMC2523P Виробник : onsemi / Fairchild FDMC2523P-D.pdf MOSFETs -150V P-Channel QFET
на замовлення 11775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.91 грн
10+85.36 грн
100+58.57 грн
500+53.00 грн
3000+44.52 грн
6000+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P FDMC2523P Виробник : onsemi fdmc2523p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 9701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.87 грн
10+83.05 грн
100+64.51 грн
500+52.02 грн
1000+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P FDMC2523P Виробник : ONSEMI 2303953.pdf Description: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+121.65 грн
10+94.24 грн
100+73.08 грн
500+58.47 грн
1000+52.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P Виробник : Fairchild/ON Semiconductor fdmc2523p-d.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 3 А; Ptot, Вт = 42; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25; Qg, нКл = 9 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 1,5 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; PowerVDFN-8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P Виробник : On Semiconductor fdmc2523p-d.pdf MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ
на замовлення 945 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.