Продукція > ONSEMI > FDMC2610
FDMC2610

FDMC2610 onsemi

fdmc2610-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+73.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC2610 onsemi

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc), FET Type: N-Channel.

Інші пропозиції FDMC2610 за ціною від 69.52 грн до 192.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMC2610 FDMC2610 onsemi fdmc2610-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 42540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.18 грн
10+127.00 грн
100+91.43 грн
500+73.93 грн
1000+69.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610 FDMC2610 onsemi fdmc2610-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610 FDMC2610 onsemi / Fairchild fdmc2610-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 14153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610 fdmc2610-d.pdf
FDMC2610
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 42540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+192.18 грн
10+127.00 грн
100+91.43 грн
500+73.93 грн
1000+69.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610 fdmc2610-d.pdf
FDMC2610
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610 fdmc2610-d.pdf
FDMC2610
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 14153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.