Продукція > ONSEMI > FDMC2610
FDMC2610

FDMC2610 onsemi

fdmc2610-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+74.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC2610 onsemi

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FDMC2610 за ціною від 70.32 грн до 194.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMC2610 FDMC2610 onsemi fdmc2610-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 42540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.39 грн
10+128.46 грн
100+92.48 грн
500+74.78 грн
1000+70.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610 FDMC2610 onsemi fdmc2610-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610 fdmc2610-d.pdf
FDMC2610
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 42540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+194.39 грн
10+128.46 грн
100+92.48 грн
500+74.78 грн
1000+70.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610 fdmc2610-d.pdf
FDMC2610
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.