Продукція > ONSEMI > FDMC3612-L701
FDMC3612-L701

FDMC3612-L701 onsemi

fdmc3612-d.pdf Виробник: onsemi
Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.15 грн
10+54.95 грн
100+38.21 грн
500+28.81 грн
1000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC3612-L701 onsemi

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMC3612-L701 за ціною від 25.45 грн до 93.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC3612-L701 Виробник : onsemi FDMC3612_D-2255801.pdf MOSFETs FET 100V 1100 MOHM MLP33
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.55 грн
10+61.93 грн
100+37.52 грн
500+30.09 грн
1000+27.74 грн
3000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701 Виробник : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf N-Channel Power Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701 Виробник : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701 Виробник : ONSEMI fdmc3612-d.pdf FDMC3612-L701 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701 FDMC3612-L701 Виробник : onsemi fdmc3612-d.pdf Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.