Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMC3612-L701
FDMC3612-L701

FDMC3612-L701 ON Semiconductor

fdmc3612-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1098000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC3612-L701 ON Semiconductor

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMC3612-L701 за ціною від 25.26 грн до 114.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC3612-L701 FDMC3612-L701 Виробник : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 49022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
668+52.13 грн
1000+48.07 грн
10000+42.86 грн
Мінімальне замовлення: 668
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701 FDMC3612-L701 Виробник : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
668+52.13 грн
1000+48.07 грн
Мінімальне замовлення: 668
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701 FDMC3612-L701 Виробник : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 15722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
668+52.13 грн
1000+48.07 грн
10000+42.86 грн
Мінімальне замовлення: 668
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701 FDMC3612-L701 Виробник : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
668+52.13 грн
1000+48.07 грн
Мінімальне замовлення: 668
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701 FDMC3612-L701 Виробник : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 16961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
668+52.13 грн
1000+48.07 грн
10000+42.86 грн
Мінімальне замовлення: 668
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701 FDMC3612-L701 Виробник : onsemi fdmc3612-d.pdf Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.52 грн
10+53.89 грн
100+37.48 грн
500+28.26 грн
1000+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701 Виробник : onsemi fdmc3612-d.pdf MOSFETs FET 100V 110.0 MOHM MLP33
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.95 грн
10+72.05 грн
100+41.56 грн
500+38.99 грн
1000+28.38 грн
3000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701 FDMC3612-L701 Виробник : ON Semiconductor fdmc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701 FDMC3612-L701 Виробник : onsemi fdmc3612-d.pdf Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701 Виробник : ONSEMI fdmc3612-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 15A; 35W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 35W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.