Технічний опис FDMC3612-L701 ON Semiconductor
Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDMC3612-L701 за ціною від 25.66 грн до 116.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMC3612-L701 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 49022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMC3612-L701 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 4731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMC3612-L701 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 15722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMC3612-L701 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMC3612-L701 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 16961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMC3612-L701 | onsemi |
Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDMC3612-L701 | onsemi |
MOSFETs FET 100V 110.0 MOHM MLP33 |
на замовлення 607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FDMC3612-L701 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 49022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 668+ | 52.95 грн |
| 1000+ | 48.83 грн |
| 10000+ | 43.54 грн |
| FDMC3612-L701 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 668+ | 52.95 грн |
| 1000+ | 48.83 грн |
| FDMC3612-L701 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 15722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 668+ | 52.95 грн |
| 1000+ | 48.83 грн |
| 10000+ | 43.54 грн |
| FDMC3612-L701 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 668+ | 52.95 грн |
| 1000+ | 48.83 грн |
| FDMC3612-L701 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 16961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 668+ | 52.95 грн |
| 1000+ | 48.83 грн |
| 10000+ | 43.54 грн |
| FDMC3612-L701 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.84 грн |
| 10+ | 54.75 грн |
| 100+ | 38.07 грн |
| 500+ | 28.71 грн |
| 1000+ | 26.40 грн |
| FDMC3612-L701 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs FET 100V 110.0 MOHM MLP33
MOSFETs FET 100V 110.0 MOHM MLP33
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.77 грн |
| 10+ | 73.19 грн |
| 100+ | 42.22 грн |
| 500+ | 39.61 грн |
| 1000+ | 28.83 грн |
| 3000+ | 25.66 грн |




