FDMC4435BZ-F127-L701 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 498+ | 71.09 грн |
| 553+ | 63.99 грн |
| 1000+ | 59.02 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
498 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC4435BZ-F127-L701 ON Semiconductor
Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMC4435BZ-F127-L701
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC4435BZ-F127-L701 | onsemi |
 Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMC4435BZ-F127-L701 | onsemi |
MOSFET P-Channel Power Trench MOSFET -30V, -18A, 20mohm |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDMC4435BZ-F127-L701 |
|
Виробник: onsemi
Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDMC4435BZ-F127-L701 |
|
Виробник: onsemi
MOSFET P-Channel Power Trench MOSFET -30V, -18A, 20mohm
MOSFET P-Channel Power Trench MOSFET -30V, -18A, 20mohm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.