Продукція > ONSEMI > FDMC4435BZ
FDMC4435BZ

FDMC4435BZ ONSEMI

4104784.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.56 грн
9000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC4435BZ ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMC4435BZ за ціною від 26.19 грн до 127.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : onsemi fdmc4435bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.82 грн
6000+30.61 грн
9000+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 26946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
760+41.99 грн
1000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 760
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
760+41.99 грн
1000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 760
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : ONSEMI 3999349.pdf Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 67177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.66 грн
500+35.43 грн
1000+29.90 грн
5000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : ONSEMI 3999349.pdf Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 67177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.28 грн
12+74.63 грн
100+51.66 грн
500+35.43 грн
1000+29.90 грн
5000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : onsemi / Fairchild B0A7E8568935F3C16EF49766158F25F833B2A2FDF226C4BD2906B142B777B228.pdf MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench
на замовлення 57258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.07 грн
10+79.40 грн
100+45.66 грн
500+36.69 грн
1000+33.54 грн
3000+29.36 грн
6000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : onsemi B0A7E8568935F3C16EF49766158F25F833B2A2FDF226C4BD2906B142B777B228.pdf MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench
на замовлення 56258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.67 грн
10+80.21 грн
100+45.66 грн
500+36.69 грн
1000+33.54 грн
3000+29.36 грн
6000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : onsemi fdmc4435bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
на замовлення 26227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.74 грн
10+68.39 грн
100+48.45 грн
500+36.67 грн
1000+34.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ Виробник : ONSEMI fdmc4435bz-d.pdf FDMC4435BZ SMD P channel transistors
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.92 грн
24+49.79 грн
65+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ
Код товару: 52237
Додати до обраних Обраний товар

fdmc4435bz-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.