Продукція > ONSEMI > FDMC4435BZ
FDMC4435BZ

FDMC4435BZ ONSEMI

4104784.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.07 грн
9000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC4435BZ ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMC4435BZ за ціною від 26.63 грн до 130.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : onsemi fdmc4435bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.93 грн
6000+28.61 грн
9000+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 26946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
760+41.70 грн
1000+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 760
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
760+41.70 грн
1000+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 760
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : ONSEMI 3999349.pdf Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 67177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.53 грн
500+36.02 грн
1000+30.40 грн
5000+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : ONSEMI FDMC4435BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+85.30 грн
7+66.37 грн
10+59.28 грн
25+50.36 грн
100+39.52 грн
500+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : ONSEMI FDMC4435BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.36 грн
5+82.71 грн
10+71.14 грн
25+60.43 грн
100+47.43 грн
500+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : ONSEMI 3999349.pdf Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 67177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.14 грн
12+75.87 грн
100+52.53 грн
500+36.02 грн
1000+30.40 грн
5000+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : onsemi fdmc4435bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
на замовлення 13601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.49 грн
10+72.87 грн
100+48.70 грн
500+35.97 грн
1000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : onsemi B0A7E8568935F3C16EF49766158F25F833B2A2FDF226C4BD2906B142B777B228.pdf MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench
на замовлення 53296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.74 грн
10+81.56 грн
100+47.47 грн
500+37.30 грн
1000+34.10 грн
3000+29.86 грн
6000+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ
Код товару: 52237
Додати до обраних Обраний товар

fdmc4435bz-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.