FDMC4435BZ ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 28.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC4435BZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMC4435BZ за ціною від 25.33 грн до 127.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC4435BZ | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, MLP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC4435BZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 26946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC4435BZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 69226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC4435BZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8 Case: MLP8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -18A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 53nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD |
на замовлення 2819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC4435BZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench |
на замовлення 56392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC4435BZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8 Case: MLP8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -18A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 53nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2819 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC4435BZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V |
на замовлення 26227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC4435BZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 69226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
FDMC4435BZ Код товару: 52237
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
 |
FDMC4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R |
товару немає в наявності |