Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > FDMC4435BZ
FDMC4435BZ

FDMC4435BZ

fdmc4435bz-d.pdf
Код товару: 52237
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDMC4435BZ за ціною від 25.07 грн до 120.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMC4435BZ FDMC4435BZ ONSEMI 4104784.pdf Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.92 грн
9000+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ onsemi fdmc4435bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.81 грн
6000+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.81 грн
6000+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ ONSEMI 3999349.pdf Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 63859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.85 грн
500+32.16 грн
1500+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 26946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+56.89 грн
1000+52.46 грн
10000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+56.89 грн
1000+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ ONSEMI FDMC4435BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.68 грн
6+80.76 грн
10+70.97 грн
50+49.25 грн
100+42.12 грн
500+38.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ ONSEMI 3999349.pdf Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 63859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.31 грн
50+71.60 грн
100+46.85 грн
500+32.16 грн
1500+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ onsemi fdmc4435bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
на замовлення 3221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.46 грн
10+70.52 грн
100+47.11 грн
500+34.79 грн
1000+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.34 грн
165+85.94 грн
231+61.24 грн
500+48.55 грн
1000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ onsemi fdmc4435bz-d.pdf MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench
на замовлення 32239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.54 грн
10+75.65 грн
100+43.67 грн
500+34.37 грн
1000+31.96 грн
3000+28.93 грн
6000+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ ON Semiconductor fdmc4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ 4104784.pdf
FDMC4435BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+26.92 грн
9000+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
FDMC4435BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
FDMC4435BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+40.81 грн
6000+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
FDMC4435BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+40.81 грн
6000+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ 3999349.pdf
FDMC4435BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 63859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+46.85 грн
500+32.16 грн
1500+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
FDMC4435BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 26946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
622+56.89 грн
1000+52.46 грн
10000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
FDMC4435BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
622+56.89 грн
1000+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ.pdf
FDMC4435BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+102.68 грн
6+80.76 грн
10+70.97 грн
50+49.25 грн
100+42.12 грн
500+38.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ 3999349.pdf
FDMC4435BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 63859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+113.31 грн
50+71.60 грн
100+46.85 грн
500+32.16 грн
1500+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
FDMC4435BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
на замовлення 3221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+115.46 грн
10+70.52 грн
100+47.11 грн
500+34.79 грн
1000+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
FDMC4435BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
119+119.34 грн
165+85.94 грн
231+61.24 грн
500+48.55 грн
1000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
FDMC4435BZ
Виробник: onsemi
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench
на замовлення 32239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+120.54 грн
10+75.65 грн
100+43.67 грн
500+34.37 грн
1000+31.96 грн
3000+28.93 грн
6000+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ fdmc4435bz-d.pdf
FDMC4435BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.