FDMC4435BZ
Код товару: 52237
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDMC4435BZ за ціною від 27.34 грн до 121.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC4435BZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC4435BZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 63859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 26946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 7550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC4435BZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -18A Power dissipation: 31W Case: MLP8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® |
на замовлення 2409 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC4435BZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 63859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC4435BZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC4435BZ | Виробник : onsemi |
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench |
на замовлення 32239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC4435BZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |