Продукція > ONSEMI > FDMC5614P
FDMC5614P

FDMC5614P onsemi

fdmc5614p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC5614P onsemi

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDMC5614P за ціною від 29.29 грн до 71.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC5614P FDMC5614P Виробник : onsemi fdmc5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.35 грн
10+61.39 грн
100+47.85 грн
500+37.09 грн
1000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614P FDMC5614P Виробник : onsemi / Fairchild FDMC5614P_D-2255855.pdf MOSFET LOW VOLTAGE
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC5614P Виробник : ONSEMI fdmc5614p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -13.5A; 42W; WDFN8
Power dissipation: 42W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -13.5A
On-state resistance: 168mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.