Продукція > ONSEMI > FDMC610P
FDMC610P

FDMC610P onsemi

fdmc610p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+74.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC610P onsemi

Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 2800 µohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMC610P за ціною від 64.40 грн до 245.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC610P FDMC610P Виробник : ONSEMI fdmc610p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 2800 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.54 грн
500+73.31 грн
1000+66.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610P FDMC610P Виробник : onsemi FDMC610P-D.PDF MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.22 грн
10+87.18 грн
100+64.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610P FDMC610P Виробник : ON Semiconductor fdmc610p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
111+115.43 грн
122+105.08 грн
123+104.57 грн
134+92.19 грн
250+83.26 грн
500+74.15 грн
1000+68.43 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610P FDMC610P Виробник : ONSEMI fdmc610p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 2800 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.46 грн
10+94.50 грн
100+80.54 грн
500+73.31 грн
1000+66.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610P FDMC610P Виробник : ON Semiconductor fdmc610p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+123.68 грн
10+112.59 грн
25+112.04 грн
100+98.77 грн
250+89.20 грн
500+79.45 грн
1000+73.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610P FDMC610P Виробник : onsemi / Fairchild FDMC610P_D-2312328.pdf MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+179.10 грн
10+144.86 грн
100+98.41 грн
250+93.68 грн
500+79.51 грн
1000+73.21 грн
3000+69.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610P FDMC610P Виробник : onsemi fdmc610p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.26 грн
10+152.86 грн
100+105.66 грн
500+80.20 грн
1000+74.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610P FDMC610P Виробник : ON Semiconductor fdmc610pjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610P FDMC610P Виробник : ON Semiconductor fdmc610p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.