FDMC610P onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC610P onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V.
Інші пропозиції FDMC610P за ціною від 61.80 грн до 226.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMC610P | onsemi / Fairchild |
MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC610P | onsemi |
MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET |
на замовлення 3314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC610P | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V |
на замовлення 5960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDMC610P |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET
MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 158.86 грн |
| 10+ | 128.48 грн |
| 100+ | 87.28 грн |
| 250+ | 83.09 грн |
| 500+ | 70.53 грн |
| 1000+ | 64.94 грн |
| 3000+ | 61.80 грн |
| FDMC610P |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET
MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 3314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 224.84 грн |
| 10+ | 143.74 грн |
| 100+ | 86.59 грн |
| 500+ | 70.53 грн |
| 1000+ | 67.24 грн |
| 3000+ | 62.43 грн |
| FDMC610P |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.24 грн |
| 10+ | 141.01 грн |
| 100+ | 97.46 грн |
| 500+ | 73.98 грн |
| 1000+ | 68.36 грн |


