Продукція > ONSEMI > FDMC610P
FDMC610P

FDMC610P onsemi

fdmc610p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+72.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC610P onsemi

Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 2800 µohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMC610P за ціною від 64.17 грн до 237.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC610P FDMC610P Виробник : ONSEMI fdmc610p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 2800 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.94 грн
500+70.95 грн
1000+64.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610P FDMC610P Виробник : ON Semiconductor fdmc610p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
111+111.71 грн
122+101.69 грн
123+101.20 грн
134+89.22 грн
250+80.57 грн
500+71.76 грн
1000+66.22 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610P FDMC610P Виробник : ONSEMI fdmc610p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 2800 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.67 грн
10+91.45 грн
100+77.94 грн
500+70.95 грн
1000+64.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610P FDMC610P Виробник : ON Semiconductor fdmc610p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+119.69 грн
10+108.95 грн
25+108.42 грн
100+95.59 грн
250+86.33 грн
500+76.89 грн
1000+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610P FDMC610P Виробник : onsemi / Fairchild FDMC610P_D-2312328.pdf MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.32 грн
10+140.18 грн
100+95.23 грн
250+90.66 грн
500+76.95 грн
1000+70.85 грн
3000+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610P FDMC610P Виробник : onsemi fdmc610p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.35 грн
10+147.93 грн
100+102.25 грн
500+77.61 грн
1000+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610P FDMC610P Виробник : ON Semiconductor fdmc610pjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC610P FDMC610P Виробник : ON Semiconductor fdmc610p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.