Продукція > ONSEMI > FDMC6675BZ
FDMC6675BZ

FDMC6675BZ onsemi

fdmc6675bz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC6675BZ onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMC6675BZ за ціною від 29.43 грн до 116.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC6675BZ FDMC6675BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
208+58.84 грн
210+58.40 грн
246+49.90 грн
250+48.02 грн
500+39.04 грн
1000+31.23 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ FDMC6675BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+71.13 грн
12+63.04 грн
25+62.58 грн
100+51.55 грн
250+47.63 грн
500+40.16 грн
1000+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ FDMC6675BZ Виробник : onsemi fdmc6675bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.10 грн
10+74.52 грн
100+51.59 грн
500+41.47 грн
1000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ FDMC6675BZ Виробник : onsemi / Fairchild fdmc6675bz-d.pdf MOSFETs -30V 20A P-Channel PowerTrench
на замовлення 4874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.21 грн
10+55.19 грн
100+37.65 грн
500+33.96 грн
1000+31.92 грн
3000+29.66 грн
6000+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ
Код товару: 130485
Додати до обраних Обраний товар

fdmc6675bz-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ FDMC6675BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ FDMC6675BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ Виробник : ONSEMI fdmc6675bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 36W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -32A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ Виробник : ONSEMI fdmc6675bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 36W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -32A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.