Продукція > ONSEMI > FDMC6675BZ
FDMC6675BZ

FDMC6675BZ onsemi

fdmc6675bz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC6675BZ onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMC6675BZ за ціною від 27.19 грн до 117.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC6675BZ FDMC6675BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
208+62.09 грн
210+61.63 грн
246+52.66 грн
250+50.67 грн
500+41.20 грн
1000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ FDMC6675BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.06 грн
12+66.52 грн
25+66.04 грн
100+54.41 грн
250+50.27 грн
500+42.38 грн
1000+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ FDMC6675BZ Виробник : onsemi fdmc6675bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.60 грн
10+71.61 грн
100+49.57 грн
500+39.85 грн
1000+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ FDMC6675BZ Виробник : onsemi / Fairchild FDMC6675BZ-D.PDF MOSFETs -30V 20A P-Channel PowerTrench
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.14 грн
10+56.21 грн
100+39.18 грн
500+33.61 грн
1000+32.00 грн
3000+28.31 грн
6000+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ
Код товару: 130485
Додати до обраних Обраний товар

fdmc6675bz-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ FDMC6675BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.