FDMC6675BZ
Код товару: 130485
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDMC6675BZ за ціною від 27.25 грн до 123.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC6675BZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC6675BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC6675BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC6675BZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V |
на замовлення 4933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC6675BZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs -30V 20A P-Channel PowerTrench |
на замовлення 3396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC6675BZ | Виробник : onsemi |
MOSFETs -30V 20A P-Channel PowerTrench |
на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC6675BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDMC6675BZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Case: WDFN8 Pulsed drain current: -32A Drain-source voltage: -30V Drain current: -20A Gate charge: 65nC On-state resistance: 27mΩ Power dissipation: 36W Gate-source voltage: ±25V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |