Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMC6679AZ
FDMC6679AZ

FDMC6679AZ ON Semiconductor

fdmc6679az-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC6679AZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMC6679AZ за ціною від 52.03 грн до 81.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMC6679AZ FDMC6679AZ ON Semiconductor fdmc6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ FDMC6679AZ ON Semiconductor fdmc6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ FDMC6679AZ ON Semiconductor fdmc6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+81.83 грн
500+73.65 грн
1000+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ FDMC6679AZ ON Semiconductor fdmc6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+81.83 грн
500+73.65 грн
1000+67.92 грн
10000+58.39 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ FDMC6679AZ onsemi fdmc6679az-d.pdf MOSFETs -30V P-Channel Power Trench
на замовлення 15015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ FDMC6679AZ onsemi / Fairchild FDMC6679AZ-D.PDF MOSFETs -30V P-Channel Power Trench
на замовлення 17969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ FDMC6679AZ ONSEMI 2304773.pdf Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ FDMC6679AZ ONSEMI 2304773.pdf Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ ONN fdmc6679az-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ fdmc6679az-d.pdf
FDMC6679AZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ fdmc6679az-d.pdf
FDMC6679AZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ fdmc6679az-d.pdf
FDMC6679AZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
432+81.83 грн
500+73.65 грн
1000+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ fdmc6679az-d.pdf
FDMC6679AZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
432+81.83 грн
500+73.65 грн
1000+67.92 грн
10000+58.39 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ fdmc6679az-d.pdf
FDMC6679AZ
Виробник: onsemi
MOSFETs -30V P-Channel Power Trench
на замовлення 15015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ FDMC6679AZ-D.PDF
FDMC6679AZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -30V P-Channel Power Trench
на замовлення 17969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ 2304773.pdf
FDMC6679AZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ 2304773.pdf
FDMC6679AZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ fdmc6679az-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.