Продукція > ONSEMI > FDMC6679AZ
FDMC6679AZ

FDMC6679AZ onsemi


fdmc6679az-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC6679AZ onsemi

Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMC6679AZ за ціною від 31.78 грн до 152.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC6679AZ FDMC6679AZ Виробник : ON Semiconductor fdmc6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ FDMC6679AZ Виробник : ON Semiconductor fdmc6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ FDMC6679AZ Виробник : ON Semiconductor fdmc6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+51.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ FDMC6679AZ Виробник : ONSEMI 2304773.pdf Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.41 грн
500+48.18 грн
1000+40.80 грн
5000+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ FDMC6679AZ Виробник : ON Semiconductor fdmc6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
432+80.73 грн
500+72.66 грн
1000+67.01 грн
Мінімальне замовлення: 432
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ FDMC6679AZ Виробник : ON Semiconductor fdmc6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
432+80.73 грн
500+72.66 грн
1000+67.01 грн
10000+57.61 грн
Мінімальне замовлення: 432
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ FDMC6679AZ Виробник : onsemi / Fairchild FDMC6679AZ-D.PDF MOSFETs -30V P-Channel Power Trench
на замовлення 17969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.42 грн
10+82.19 грн
100+50.30 грн
500+39.34 грн
1000+36.77 грн
3000+32.40 грн
6000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ FDMC6679AZ Виробник : onsemi fdmc6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V
на замовлення 3024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.11 грн
10+80.05 грн
100+57.65 грн
500+43.32 грн
1000+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ FDMC6679AZ Виробник : onsemi fdmc6679az-d.pdf MOSFETs -30V P-Channel Power Trench
на замовлення 15015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.90 грн
10+84.58 грн
100+51.34 грн
500+42.05 грн
1000+37.74 грн
3000+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ FDMC6679AZ Виробник : ONSEMI 2304773.pdf Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.18 грн
10+97.14 грн
100+65.41 грн
500+48.18 грн
1000+40.80 грн
5000+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ Виробник : ONN fdmc6679az-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ FDMC6679AZ Виробник : ON Semiconductor fdmc6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ FDMC6679AZ Виробник : ON Semiconductor fdmc6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6679AZ Виробник : ONSEMI fdmc6679az-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 41W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 41W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.