FDMC6688P ON Semiconductor
на замовлення 6813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 555+ | 54.85 грн |
| 1000+ | 51.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC6688P ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDMC6688P за ціною від 51.80 грн до 54.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMC6688P | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R |
на замовлення 9964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FDMC6688P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R |
на замовлення 14450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FDMC6688P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R |
на замовлення 10556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FDMC6688P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R |
на замовлення 2761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FDMC6688P | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET PT8P 20_8V FROM VANGUARD |
на замовлення 243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||
| FDMC6688P | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
 |
FDMC6688P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
FDMC6688P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |