FDMC7208S ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.0047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.0047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 91.37 грн |
500+ | 57.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC7208S ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.0047 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0047ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0047ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMC7208S за ціною від 46.47 грн до 143.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMC7208S | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) |
на замовлення 2685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC7208S | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 11120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC7208S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.0047 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0047ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0047ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC7208S | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) |
на замовлення 2685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDMC7208S | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 12A/16A 8-Pin Power 33 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC7208S | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/26A; 1.9W; Power33 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: Power33 Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 22/26A On-state resistance: 12.4/7.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.9W Gate charge: 18/36nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20/±12V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC7208S | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/26A; 1.9W; Power33 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: Power33 Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 22/26A On-state resistance: 12.4/7.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.9W Gate charge: 18/36nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20/±12V |
товар відсутній |