Інші пропозиції FDMC7570S за ціною від 37.71 грн до 283.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMC7570S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC7570S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC7570S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC7570S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC7570S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC7570S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC7570S | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC7570S | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET |
на замовлення 3003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC7570S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC7570S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC7570S | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V |
на замовлення 6533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDMC7570S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 367+ | 96.75 грн |
| 500+ | 87.07 грн |
| 1000+ | 80.31 грн |
| FDMC7570S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 367+ | 96.75 грн |
| 500+ | 87.07 грн |
| 1000+ | 80.31 грн |
| FDMC7570S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 367+ | 96.75 грн |
| 500+ | 87.07 грн |
| 1000+ | 80.31 грн |
| FDMC7570S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 367+ | 96.75 грн |
| 500+ | 87.07 грн |
| 1000+ | 80.31 грн |
| FDMC7570S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 367+ | 96.75 грн |
| 500+ | 87.07 грн |
| FDMC7570S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 367+ | 96.75 грн |
| 500+ | 87.07 грн |
| 1000+ | 80.31 грн |
| 10000+ | 69.04 грн |
| FDMC7570S |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 97.75 грн |
| FDMC7570S |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET
MOSFETs 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.20 грн |
| 10+ | 101.98 грн |
| 100+ | 61.87 грн |
| 500+ | 52.09 грн |
| 1000+ | 48.81 грн |
| 3000+ | 48.39 грн |
| 6000+ | 37.71 грн |
| FDMC7570S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 166.79 грн |
| 10+ | 139.01 грн |
| 100+ | 117.46 грн |
| FDMC7570S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 85+ | 166.79 грн |
| 102+ | 139.01 грн |
| 121+ | 117.46 грн |
| FDMC7570S |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V
на замовлення 6533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 283.59 грн |
| 10+ | 178.83 грн |
| 100+ | 125.47 грн |
| 500+ | 96.37 грн |
| 1000+ | 89.50 грн |




