на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 56.33 грн |
| 6000+ | 54.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC7660 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.3W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMC7660 за ціною від 46.39 грн до 172.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMC7660 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC7660 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8 Case: PQFN8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 86nC On-state resistance: 3.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 41W |
на замовлення 2111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC7660 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC7660 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8 Case: PQFN8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 86nC On-state resistance: 3.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 41W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2111 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC7660 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC7660 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC7660 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 9518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC7660 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC7660 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V |
на замовлення 2126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC7660 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC7660 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |