Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMC7660
FDMC7660

FDMC7660 ON Semiconductor

fdmc7660-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+64.07 грн
6000+62.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC7660 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 2.3W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.

Інші пропозиції FDMC7660 за ціною від 50.57 грн до 162.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMC7660 FDMC7660 ON Semiconductor fdmc7660-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.07 грн
6000+62.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 FDMC7660 ONSEMI FDMC7660.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 FDMC7660 ON Semiconductor fdmc7660-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+108.13 грн
500+97.32 грн
1000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 FDMC7660 ON Semiconductor fdmc7660-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+108.13 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 FDMC7660 onsemi fdmc7660-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.67 грн
10+100.54 грн
100+68.61 грн
500+51.56 грн
1000+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 FDMC7660 onsemi / Fairchild FDMC7660-D.PDF MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 9518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 FDMC7660 ONSEMI 2303980.pdf Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 FDMC7660 ONSEMI 2303980.pdf Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 fdmc7660-d.pdf
FDMC7660
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+64.07 грн
6000+62.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 FDMC7660.pdf
FDMC7660
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 fdmc7660-d.pdf
FDMC7660
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
327+108.13 грн
500+97.32 грн
1000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 fdmc7660-d.pdf
FDMC7660
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
327+108.13 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 fdmc7660-d.pdf
FDMC7660
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+162.67 грн
10+100.54 грн
100+68.61 грн
500+51.56 грн
1000+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 FDMC7660-D.PDF
FDMC7660
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 9518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 2303980.pdf
FDMC7660
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 2303980.pdf
FDMC7660
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.