Продукція > ONSEMI > FDMC7672S
FDMC7672S

FDMC7672S onsemi

fdmc7672s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC7672S onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMC7672S за ціною від 22.28 грн до 94.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC7672S FDMC7672S Виробник : onsemi fdmc7672s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.60 грн
10+63.51 грн
100+49.43 грн
500+39.32 грн
1000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672S FDMC7672S Виробник : onsemi / Fairchild FDMC7672S-D.PDF MOSFETs 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.91 грн
10+60.94 грн
100+37.63 грн
500+30.18 грн
1000+25.32 грн
3000+24.02 грн
6000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672S Виробник : FAIRCHILD fdmc7672s-d.pdf QFN
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672S FDMC7672S Виробник : ON Semiconductor fdmc7672s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672S Виробник : ONSEMI fdmc7672s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 45A; 36W; WDFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 36W
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.