Продукція > ONSEMI > FDMC8010
FDMC8010

FDMC8010 onsemi

fdmc8010-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+76.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC8010 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMC8010 за ціною від 56.87 грн до 174.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+84.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+90.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ONSEMI fdmc8010-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.39 грн
500+78.74 грн
1000+68.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+102.95 грн
500+98.57 грн
1000+93.09 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 18208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+102.95 грн
500+98.57 грн
1000+93.09 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 9885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+102.95 грн
500+98.57 грн
1000+93.09 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
124+103.17 грн
139+92.06 грн
140+91.34 грн
146+84.81 грн
250+75.49 грн
500+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+110.54 грн
10+98.64 грн
25+97.87 грн
100+90.86 грн
250+80.89 грн
500+74.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : onsemi / Fairchild fdmc8010-d.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.19 грн
10+116.33 грн
100+83.63 грн
500+72.48 грн
1000+62.13 грн
3000+58.94 грн
6000+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : onsemi fdmc8010-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 8246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.19 грн
10+120.72 грн
100+92.35 грн
500+78.19 грн
1000+72.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ONSEMI fdmc8010-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+174.24 грн
10+126.88 грн
100+97.39 грн
500+78.74 грн
1000+68.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.