Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMC8010
FDMC8010

FDMC8010 ON Semiconductor

fdmc8010-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
331+42.47 грн
341+41.29 грн
344+40.87 грн
Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC8010 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMC8010 за ціною від 44.94 грн до 183.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMC8010 FDMC8010 onsemi fdmc8010-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.42 грн
6000+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+112.03 грн
500+100.82 грн
1000+92.99 грн
10000+79.94 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+112.03 грн
500+100.82 грн
1000+92.99 грн
10000+79.94 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+112.03 грн
500+100.82 грн
1000+92.99 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 onsemi fdmc8010-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.95 грн
10+101.62 грн
100+69.47 грн
500+52.27 грн
1000+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.21 грн
10+135.54 грн
100+100.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 ONSEMI 2572517.pdf Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 onsemi fdmc8010-d.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 onsemi / Fairchild fdmc8010-d.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 ONSEMI 2572517.pdf Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 fdmc8010-d.pdf
FDMC8010
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+47.42 грн
6000+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 fdmc8010-d.pdf
FDMC8010
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+92.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 fdmc8010-d.pdf
FDMC8010
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 fdmc8010-d.pdf
FDMC8010
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
314+112.03 грн
500+100.82 грн
1000+92.99 грн
10000+79.94 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 fdmc8010-d.pdf
FDMC8010
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
314+112.03 грн
500+100.82 грн
1000+92.99 грн
10000+79.94 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 fdmc8010-d.pdf
FDMC8010
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
314+112.03 грн
500+100.82 грн
1000+92.99 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 fdmc8010-d.pdf
FDMC8010
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+163.95 грн
10+101.62 грн
100+69.47 грн
500+52.27 грн
1000+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 fdmc8010-d.pdf
FDMC8010
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+183.21 грн
10+135.54 грн
100+100.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 2572517.pdf
FDMC8010
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 fdmc8010-d.pdf
FDMC8010
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 fdmc8010-d.pdf
FDMC8010
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 2572517.pdf
FDMC8010
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.