Продукція > ONSEMI > FDMC8010
FDMC8010

FDMC8010 onsemi

fdmc8010-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC8010 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMC8010 за ціною від 55.30 грн до 169.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+81.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+88.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ONSEMI fdmc8010-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.70 грн
500+76.56 грн
1000+66.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+100.11 грн
500+95.85 грн
1000+90.52 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 18208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+100.11 грн
500+95.85 грн
1000+90.52 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 9885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+100.11 грн
500+95.85 грн
1000+90.52 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
124+100.32 грн
139+89.52 грн
140+88.82 грн
146+82.46 грн
250+73.41 грн
500+67.64 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+107.49 грн
10+95.91 грн
25+95.16 грн
100+88.35 грн
250+78.65 грн
500+72.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : onsemi / Fairchild fdmc8010-d.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.90 грн
10+113.11 грн
100+81.32 грн
500+70.48 грн
1000+60.41 грн
3000+57.31 грн
6000+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : onsemi fdmc8010-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 8246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.40 грн
10+117.38 грн
100+89.80 грн
500+76.03 грн
1000+70.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ONSEMI fdmc8010-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+169.42 грн
10+123.37 грн
100+94.70 грн
500+76.56 грн
1000+66.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 FDMC8010 Виробник : ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.