FDMC8030 onsemi


fdmc8030-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+40.62 грн
6000+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC8030 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 8000 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8000µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 14W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 14W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDMC8030 за ціною від 37.17 грн до 98.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMC8030 FDMC8030 ON Semiconductor fdmc8030d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+55.33 грн
297+47.42 грн
500+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030 FDMC8030 ON Semiconductor fdmc8030d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.04 грн
14+55.94 грн
25+55.33 грн
100+45.73 грн
500+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030 FDMC8030 onsemi fdmc8030-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 800mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.53 грн
10+77.31 грн
100+60.18 грн
500+47.87 грн
1000+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030 FDMC8030 ONSEMI 2552625.pdf Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030 FDMC8030 ONSEMI 2552625.pdf Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030 fdmc8030d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
254+55.33 грн
297+47.42 грн
500+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030 fdmc8030d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+64.04 грн
14+55.94 грн
25+55.33 грн
100+45.73 грн
500+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030 fdmc8030-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 800mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.53 грн
10+77.31 грн
100+60.18 грн
500+47.87 грн
1000+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030 2552625.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030 2552625.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.