Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMC8200S
FDMC8200S

FDMC8200S ON Semiconductor

fdmc8200s-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+16.25 грн
48+15.72 грн
100+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC8200S ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3).

Інші пропозиції FDMC8200S за ціною від 31.92 грн до 132.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMC8200S FDMC8200S onsemi fdmc8200s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.91 грн
6000+32.23 грн
9000+31.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200S FDMC8200S ON Semiconductor fdmc8200s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+64.75 грн
220+64.43 грн
251+56.29 грн
253+53.96 грн
500+44.91 грн
1000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200S FDMC8200S onsemi fdmc8200s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 700mW, 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.17 грн
10+80.96 грн
100+54.35 грн
500+40.28 грн
1000+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200S FDMC8200S onsemi / Fairchild FDMC8200S_D-2312417.pdf MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200S FDMC8200S ON Semiconductor fdmc8200s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200S fdmc8200s-d.pdf FSC 1121+ MLP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200S fdmc8200s-d.pdf
FDMC8200S
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+35.91 грн
6000+32.23 грн
9000+31.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200S fdmc8200s-d.pdf
FDMC8200S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
218+64.75 грн
220+64.43 грн
251+56.29 грн
253+53.96 грн
500+44.91 грн
1000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200S fdmc8200s-d.pdf
FDMC8200S
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 700mW, 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.17 грн
10+80.96 грн
100+54.35 грн
500+40.28 грн
1000+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200S FDMC8200S_D-2312417.pdf
FDMC8200S
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200S fdmc8200s-d.pdf
FDMC8200S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200S fdmc8200s-d.pdf
FSC 1121+ MLP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.