FDMC8321LDC onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 67.46 грн |
6000+ | 62.52 грн |
9000+ | 60.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8321LDC onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V.
Інші пропозиції FDMC8321LDC за ціною від 60.57 грн до 164.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMC8321LDC | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC8321LDC | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC8321LDC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V |
на замовлення 23561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC8321LDC | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET FET 40V 2.5 MOHM PQFN33 |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC8321LDC | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC8321LDC | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 108A T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC8321LDC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; Idm: 320A; 56W; PQFN8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 108A On-state resistance: 4.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 56W Polarisation: unipolar Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 320A Mounting: SMD Case: PQFN8 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC8321LDC | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET FET 40V 2.5 MOHM PQFN33 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC8321LDC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; Idm: 320A; 56W; PQFN8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 108A On-state resistance: 4.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 56W Polarisation: unipolar Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 320A Mounting: SMD Case: PQFN8 |
товар відсутній |