FDMC8327L onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 25.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8327L onsemi
Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMC8327L за ціною від 26.72 грн до 99.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC8327L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC8327L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC8327L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC8327L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC8327L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET |
на замовлення 51913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC8327L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V |
на замовлення 7522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMC8327L | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin MLP EP T/R |
на замовлення 2797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FDMC8327L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC8327L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |