FDMC8327L onsemi


fdmc8327l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC8327L onsemi

Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 30W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm.

Інші пропозиції FDMC8327L за ціною від 24.31 грн до 90.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMC8327L FDMC8327L ONSEMI ONSM-S-A0003590933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 6633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.19 грн
500+46.41 грн
1500+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327L FDMC8327L ONSEMI ONSM-S-A0003590933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 6633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.40 грн
50+64.53 грн
100+60.19 грн
500+46.41 грн
1500+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327L FDMC8327L onsemi fdmc8327l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.66 грн
10+55.07 грн
100+36.48 грн
500+26.73 грн
1000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327L FDMC8327L onsemi fdmc8327l-d.pdf MOSFETs PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 34231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327L FDMC8327L onsemi / Fairchild FDMC8327L_D-2312740.pdf MOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 51913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327L ONSM-S-A0003590933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 6633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+60.19 грн
500+46.41 грн
1500+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327L ONSM-S-A0003590933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 6633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+88.40 грн
50+64.53 грн
100+60.19 грн
500+46.41 грн
1500+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327L fdmc8327l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.66 грн
10+55.07 грн
100+36.48 грн
500+26.73 грн
1000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327L fdmc8327l-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 34231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327L FDMC8327L_D-2312740.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 51913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.