FDMC8360L onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 65.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8360L onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V.
Інші пропозиції FDMC8360L за ціною від 62.60 грн до 201.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC8360L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 40V N Chan Shielded Gate Power Trench |
на замовлення 3453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMC8360L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V |
на замовлення 5740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMC8360L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin Power QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FDMC8360L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 240A; 54W; Power33 Case: Power33 Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A On-state resistance: 2.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 80nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 240A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| FDMC8360L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 240A; 54W; Power33 Case: Power33 Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A On-state resistance: 2.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 80nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 240A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |