FDMC8360LET40 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 62.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8360LET40 onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: Power33, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V.
Інші пропозиції FDMC8360LET40 за ціною від 61.27 грн до 190.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC8360LET40 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC8360LET40 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V |
на замовлення 35184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC8360LET40 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDMC8360LET40 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 658A; 75W; Power33 Case: Power33 Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 3.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 80nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 658A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| FDMC8360LET40 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 658A; 75W; Power33 Case: Power33 Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 3.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 80nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 658A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |