FDMC8462 ONSEMI
                                                Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 100+ | 111.96 грн | 
| 500+ | 84.12 грн | 
| 1000+ | 71.94 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8462 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції FDMC8462 за ціною від 49.41 грн до 219.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        FDMC8462 | Виробник : onsemi | 
            
                         Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V  | 
        
                             на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
| 
             | 
        FDMC8462 | Виробник : onsemi / Fairchild | 
            
                         MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench         | 
        
                             на замовлення 7338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
                      | 
        FDMC8462 | Виробник : ONSEMI | 
            
                         Description: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)  | 
        
                             на замовлення 2468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
| 
             | 
        FDMC8462 | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||||||||
                      | 
        FDMC8462 | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||||||||
                      | 
        FDMC8462 | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||||||||
                      | 
        FDMC8462 | Виробник : onsemi | 
            
                         Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V  | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        

