FDMC8554 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 42.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8554 onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDMC8554 за ціною від 30.66 грн до 152.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMC8554 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC8554 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLPInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 14550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC8554 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 20V N-CH PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC8554 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 20V N-CH PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC8554 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 20V N-CH PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
| FDMC8554 | Виробник : FAIRCHID |
|
на замовлення 6034 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
