Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMC86012
FDMC86012

FDMC86012 ON Semiconductor

fdmc86012-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
154+79.07 грн
156+78.28 грн
159+76.71 грн
250+73.79 грн
500+67.64 грн
1000+55.93 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86012 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMC86012 за ціною від 51.93 грн до 278.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC86012 FDMC86012 Виробник : ON Semiconductor fdmc86012-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+79.38 грн
10+73.43 грн
25+72.69 грн
100+68.69 грн
250+63.44 грн
500+60.30 грн
1000+51.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012 FDMC86012 Виробник : onsemi fdmc86012-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+129.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012 FDMC86012 Виробник : ON Semiconductor fdmc86012-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
172+177.50 грн
500+168.37 грн
1000+158.23 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012 FDMC86012 Виробник : ON Semiconductor fdmc86012-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
172+177.50 грн
500+168.37 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012 FDMC86012 Виробник : ON Semiconductor fdmc86012-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 14309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
172+177.50 грн
500+168.37 грн
1000+158.23 грн
10000+143.78 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012 FDMC86012 Виробник : ON Semiconductor fdmc86012-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
172+177.50 грн
500+168.37 грн
1000+158.23 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012 FDMC86012 Виробник : onsemi / Fairchild fdmc86012-d.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.13 грн
10+142.57 грн
100+95.76 грн
250+95.02 грн
500+92.05 грн
1000+88.34 грн
3000+74.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012 FDMC86012 Виробник : onsemi fdmc86012-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V
на замовлення 3504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.65 грн
10+193.47 грн
100+149.87 грн
500+122.43 грн
1000+117.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012 Виробник : ON Semiconductor fdmc86012-d.pdf
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012 FDMC86012 Виробник : ON Semiconductor 3654183786112034fdmc86012.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012 FDMC86012 Виробник : ON Semiconductor fdmc86012-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012 Виробник : ONSEMI fdmc86012-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 88A; Idm: 230A; 54W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 88A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 54W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86012 Виробник : ONSEMI fdmc86012-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 88A; Idm: 230A; 54W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 88A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 54W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.