на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 154+ | 80.22 грн |
| 156+ | 79.41 грн |
| 159+ | 77.83 грн |
| 250+ | 74.86 грн |
| 500+ | 68.62 грн |
| 1000+ | 56.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86012 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMC86012 за ціною від 49.93 грн до 282.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMC86012 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMC86012 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMC86012 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 2031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMC86012 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMC86012 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 14309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMC86012 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 1545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86012 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 3043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMC86012 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V |
на замовлення 3504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMC86012 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
FDMC86012 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
FDMC86012 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R |
товару немає в наявності |

