FDMC86012 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 121.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86012 onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMC86012 за ціною від 111.35 грн до 269.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMC86012 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDMC86012 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDMC86012 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V |
на замовлення 4791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDMC86012 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 4493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDMC86012 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
FDMC86012 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
FDMC86012 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
FDMC86012 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 88A; Idm: 230A; 54W; Power33 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 88A On-state resistance: 4.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 230A Mounting: SMD Case: Power33 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
FDMC86012 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 88A; Idm: 230A; 54W; Power33 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 88A On-state resistance: 4.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 230A Mounting: SMD Case: Power33 |
товар відсутній |