Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDMC86102
FDMC86102

FDMC86102 onsemi / Fairchild

fdmc86102-d.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100/20V N-Chan PowerTrench
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.69 грн
10+124.24 грн
100+81.55 грн
500+70.39 грн
1000+64.61 грн
3000+59.31 грн
6000+59.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86102 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: Power33, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDMC86102 за ціною від 86.98 грн до 230.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC86102 FDMC86102 Виробник : onsemi fdmc86102-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.51 грн
10+125.94 грн
100+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102 FDMC86102 Виробник : onsemi fdmc86102-d.pdf MOSFETs 100/20V N-Chan PowerTrench
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.93 грн
10+148.28 грн
100+89.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102 FDMC86102 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMC86102_D-2312698.pdf MOSFET 100/20V N-Chan Power Trench
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102 FDMC86102 Виробник : onsemi fdmc86102-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102 Виробник : ONSEMI fdmc86102-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 60A; 41W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 41W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.