Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMC86102
FDMC86102

FDMC86102 ON Semiconductor

fdmc86102-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+70.80 грн
6000+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86102 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMC86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0194 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDMC86102 за ціною від 63.30 грн до 219.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC86102 FDMC86102 Виробник : ON Semiconductor fdmc86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+71.74 грн
6000+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102 FDMC86102 Виробник : onsemi / Fairchild FDMC86102_D-2312698.pdf MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench
на замовлення 8884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.10 грн
10+140.95 грн
100+97.61 грн
250+90.27 грн
500+82.20 грн
1000+70.31 грн
3000+66.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102 FDMC86102 Виробник : ONSEMI fdmc86102-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0194 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.00 грн
10+130.08 грн
100+93.86 грн
500+73.70 грн
1000+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102 FDMC86102 Виробник : onsemi fdmc86102-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.91 грн
10+137.38 грн
100+94.89 грн
500+72.01 грн
1000+66.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102 FDMC86102 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMC86102_D-2312698.pdf MOSFET 100/20V N-Chan Power Trench
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102 FDMC86102 Виробник : onsemi fdmc86102-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102 FDMC86102 Виробник : ON Semiconductor fdmc86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102 FDMC86102 Виробник : ON Semiconductor fdmc86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102 FDMC86102 Виробник : ON Semiconductor 3653189901499827fdmc86102.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102 Виробник : ONSEMI fdmc86102-d.pdf FDMC86102 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.