Продукція > ONSEMI > FDMC86102L
FDMC86102L

FDMC86102L onsemi

fdmc86102l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.07 грн
6000+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86102L onsemi

Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.0189 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDMC86102L за ціною від 39.87 грн до 146.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : ON Semiconductor 3657790926866674fdmc86102l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+46.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : ONSEMI 2304777.pdf Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.0189 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.76 грн
500+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : ON Semiconductor fdmc86102l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+100.12 грн
124+98.79 грн
159+76.97 грн
250+70.73 грн
500+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : ONSEMI 2304777.pdf Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.0189 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.44 грн
50+88.09 грн
100+75.00 грн
500+48.09 грн
1500+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : ON Semiconductor fdmc86102l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+113.11 грн
10+92.96 грн
25+91.74 грн
100+68.92 грн
250+60.82 грн
500+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : onsemi / Fairchild FDMC86102L_D-2312384.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 30826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.58 грн
10+98.75 грн
100+66.64 грн
500+56.44 грн
1000+46.02 грн
3000+43.30 грн
6000+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : onsemi fdmc86102l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 130444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.87 грн
10+92.96 грн
100+63.27 грн
500+48.95 грн
1000+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : ON Semiconductor fdmc86102l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L Виробник : ONSEMI fdmc86102l-d.pdf FDMC86102L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.