Продукція > ONSEMI > FDMC86102L
FDMC86102L

FDMC86102L onsemi

fdmc86102l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.37 грн
6000+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86102L onsemi

Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.0189 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDMC86102L за ціною від 37.24 грн до 144.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : ONSEMI 2304777.pdf Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.0189 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.33 грн
500+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : ONSEMI 2304777.pdf Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.0189 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.53 грн
50+86.42 грн
100+73.58 грн
500+47.17 грн
1500+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : ON Semiconductor fdmc86102l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+106.64 грн
124+105.24 грн
159+81.99 грн
250+75.35 грн
500+47.64 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : onsemi / Fairchild fdmc86102l-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.61 грн
10+92.35 грн
100+55.17 грн
500+45.97 грн
1000+43.06 грн
3000+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : ON Semiconductor fdmc86102l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.03 грн
10+114.26 грн
25+112.75 грн
100+84.71 грн
250+74.75 грн
500+49.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : onsemi fdmc86102l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 9071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.08 грн
10+88.49 грн
100+60.00 грн
500+44.85 грн
1000+42.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : ON Semiconductor fdmc86102l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.