Продукція > ONSEMI > FDMC86102L
FDMC86102L

FDMC86102L onsemi

fdmc86102l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86102L onsemi

Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.023 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMC86102L за ціною від 40.48 грн до 179.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMC86102L FDMC86102L ON Semiconductor fdmc86102ld.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+92.45 грн
161+91.53 грн
197+74.65 грн
250+62.02 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L ON Semiconductor fdmc86102ld.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
366+100.07 грн
500+90.06 грн
1000+83.05 грн
Мінімальне замовлення: 366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L ON Semiconductor fdmc86102ld.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
366+100.07 грн
500+90.06 грн
1000+83.05 грн
Мінімальне замовлення: 366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L ON Semiconductor fdmc86102ld.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.47 грн
10+92.45 грн
25+91.53 грн
100+71.99 грн
250+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L ON Semiconductor fdmc86102l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+120.48 грн
124+118.89 грн
159+92.63 грн
250+85.12 грн
500+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L onsemi / Fairchild fdmc86102l-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11032 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+138.68 грн
10+100.36 грн
100+59.96 грн
500+49.96 грн
1000+46.80 грн
3000+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L onsemi fdmc86102l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 9003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.57 грн
10+107.97 грн
50+81.94 грн
100+69.03 грн
500+55.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L onsemi fdmc86102l-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+179.06 грн
10+113.34 грн
100+67.26 грн
500+56.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L ONSEMI 2304777.pdf Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.023 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L FDMC86102L ONSEMI 2304777.pdf Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.023 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L fdmc86102ld.pdf
FDMC86102L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
159+92.45 грн
161+91.53 грн
197+74.65 грн
250+62.02 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L fdmc86102ld.pdf
FDMC86102L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
366+100.07 грн
500+90.06 грн
1000+83.05 грн
Мінімальне замовлення: 366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L fdmc86102ld.pdf
FDMC86102L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
366+100.07 грн
500+90.06 грн
1000+83.05 грн
Мінімальне замовлення: 366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L fdmc86102ld.pdf
FDMC86102L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+109.47 грн
10+92.45 грн
25+91.53 грн
100+71.99 грн
250+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L fdmc86102l-d.pdf
FDMC86102L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
122+120.48 грн
124+118.89 грн
159+92.63 грн
250+85.12 грн
500+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L fdmc86102l-d.pdf
FDMC86102L
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11032 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+138.68 грн
10+100.36 грн
100+59.96 грн
500+49.96 грн
1000+46.80 грн
3000+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L fdmc86102l-d.pdf
FDMC86102L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 9003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.57 грн
10+107.97 грн
50+81.94 грн
100+69.03 грн
500+55.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L fdmc86102l-d.pdf
FDMC86102L
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+179.06 грн
10+113.34 грн
100+67.26 грн
500+56.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L 2304777.pdf
FDMC86102L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.023 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102L 2304777.pdf
FDMC86102L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.023 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.