Продукція > ONSEMI > FDMC86102L
FDMC86102L

FDMC86102L ONSEMI

2304777.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.0189 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+67.83 грн
500+ 43.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86102L ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.0189 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDMC86102L за ціною від 37.03 грн до 110.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : ON Semiconductor fdmc86102l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
122+96 грн
124+ 94.74 грн
159+ 73.81 грн
250+ 67.83 грн
500+ 42.89 грн
Мінімальне замовлення: 122
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : onsemi fdmc86102l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.57 грн
10+ 80.33 грн
100+ 62.48 грн
500+ 49.7 грн
1000+ 40.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : ON Semiconductor fdmc86102l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+108.47 грн
10+ 89.15 грн
25+ 87.97 грн
100+ 66.09 грн
250+ 58.32 грн
500+ 38.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : ONSEMI 2304777.pdf Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.0189 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+109.07 грн
10+ 88.15 грн
100+ 67.83 грн
500+ 43.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : onsemi / Fairchild FDMC86102L_D-2312384.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 31534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.32 грн
10+ 89.6 грн
100+ 60.47 грн
500+ 51.21 грн
1000+ 41.75 грн
3000+ 39.29 грн
24000+ 37.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : ON Semiconductor 3657790926866674fdmc86102l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : ON Semiconductor fdmc86102l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
FDMC86102L Виробник : ONSEMI FDMC86102L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 41W; MLP8
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: MLP8
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 41W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
FDMC86102L FDMC86102L Виробник : onsemi fdmc86102l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
товар відсутній
FDMC86102L Виробник : ONSEMI FDMC86102L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 41W; MLP8
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: MLP8
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 41W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
товар відсутній