FDMC86102L ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.023 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 82.94 грн |
| 500+ | 63.58 грн |
| 1500+ | 51.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86102L ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.023 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMC86102L за ціною від 37.50 грн до 197.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC86102L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86102L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86102L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86102L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC86102L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 11032 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC86102L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86102L | Виробник : onsemi |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 4597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86102L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.023 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86102L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDMC86102L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDMC86102L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 41W; MLP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 41W Case: MLP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® |
товару немає в наявності |