FDMC86102LZ onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 54.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86102LZ onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMC86102LZ за ціною від 45.27 грн до 156.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC86102LZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC86102LZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 17986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86102LZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86102LZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V |
на замовлення 41361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |