FDMC86116LZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 27.96 грн |
| 6000+ | 25.04 грн |
| 9000+ | 24.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86116LZ onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.103 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMC86116LZ за ціною від 26.39 грн до 142.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC86116LZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.103 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC86116LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC86116LZ | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET |
на замовлення 14357 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86116LZ | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V |
на замовлення 17602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86116LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86116LZ | onsemi |
MOSFETs 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET |
на замовлення 5812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86116LZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.103 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86116LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDMC86116LZ |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.103 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.103 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 58.90 грн |
| 500+ | 43.42 грн |
| 1500+ | 35.54 грн |
| FDMC86116LZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 75.82 грн |
| 12+ | 63.30 грн |
| 25+ | 62.66 грн |
| 100+ | 39.56 грн |
| FDMC86116LZ |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET
на замовлення 14357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.06 грн |
| 10+ | 68.74 грн |
| 100+ | 41.69 грн |
| 500+ | 33.24 грн |
| 1000+ | 29.89 грн |
| 3000+ | 26.53 грн |
| 6000+ | 26.39 грн |
| FDMC86116LZ |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V
на замовлення 17602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 105.27 грн |
| 10+ | 64.07 грн |
| 100+ | 42.76 грн |
| 500+ | 31.54 грн |
| 1000+ | 28.77 грн |
| FDMC86116LZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 123+ | 115.46 грн |
| 176+ | 80.97 грн |
| 251+ | 56.65 грн |
| 500+ | 46.60 грн |
| 1000+ | 39.64 грн |
| FDMC86116LZ |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET
на замовлення 5812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.01 грн |
| 10+ | 76.69 грн |
| 100+ | 44.55 грн |
| 500+ | 35.05 грн |
| 1000+ | 31.98 грн |
| 3000+ | 27.30 грн |
| FDMC86116LZ |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.103 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.103 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 142.56 грн |
| 50+ | 88.80 грн |
| 100+ | 58.90 грн |
| 500+ | 43.42 грн |
| 1500+ | 35.54 грн |
| FDMC86116LZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)