Продукція > ONSEMI > FDMC86160
FDMC86160

FDMC86160 onsemi

fdmc86160-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+71.77 грн
6000+ 66.51 грн
9000+ 64.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86160 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDMC86160 за ціною від 65.06 грн до 187.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC86160 FDMC86160 Виробник : ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 3240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
201+79.84 грн
Мінімальне замовлення: 201
FDMC86160 FDMC86160 Виробник : ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+103.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMC86160 FDMC86160 Виробник : onsemi fdmc86160-d.pdf Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 11377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+159.2 грн
10+ 127.36 грн
100+ 101.33 грн
500+ 80.46 грн
1000+ 68.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMC86160 FDMC86160 Виробник : onsemi / Fairchild FDMC86160_D-2312270.pdf MOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
на замовлення 54263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.26 грн
10+ 134.79 грн
100+ 96.56 грн
250+ 95.23 грн
500+ 80.58 грн
1000+ 68.59 грн
3000+ 65.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMC86160 FDMC86160 Виробник : ONSEMI 2303907.pdf Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+187.51 грн
10+ 135.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMC86160 FDMC86160 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMC86160_D-2312270.pdf MOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDMC86160 FDMC86160 Виробник : ONSEMI 2303907.pdf Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDMC86160 FDMC86160 Виробник : ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R
товар відсутній
FDMC86160 FDMC86160 Виробник : ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R
товар відсутній
FDMC86160 FDMC86160 Виробник : ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R
товар відсутній
FDMC86160 FDMC86160 Виробник : ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R
товар відсутній
FDMC86160 Виробник : ONSEMI fdmc86160-d.pdf FDMC86160 SMD N channel transistors
товар відсутній