FDMC86160 onsemi


fdmc86160-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+69.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86160 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMC86160 за ціною від 76.63 грн до 234.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMC86160 FDMC86160 ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 3240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+96.53 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 FDMC86160 ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 FDMC86160 ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 FDMC86160 ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+125.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 FDMC86160 ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.17 грн
500+151.70 грн
1000+139.94 грн
10000+120.20 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 FDMC86160 ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.17 грн
500+151.70 грн
1000+139.94 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 FDMC86160 ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.78 грн
10+138.13 грн
25+108.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 FDMC86160 ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+186.24 грн
101+140.68 грн
129+110.13 грн
500+102.83 грн
1000+94.43 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 FDMC86160 ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+209.19 грн
250+150.53 грн
500+137.24 грн
1000+131.28 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 FDMC86160 onsemi fdmc86160-d.pdf Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 14309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.27 грн
10+146.68 грн
100+101.97 грн
500+77.78 грн
1000+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 FDMC86160 onsemi / Fairchild fdmc86160-d.pdf MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
на замовлення 44525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 FDMC86160 ON Semiconductor / Fairchild FDMC86160_D-2312270.pdf MOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 FDMC86160 onsemi fdmc86160-d.pdf MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
на замовлення 33608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 FDMC86160 ONSEMI 2303907.pdf Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 FDMC86160 ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 FDMC86160 ONSEMI 2303907.pdf Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 fdmc86160-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 3240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
201+96.53 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 fdmc86160-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+98.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 fdmc86160-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+98.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 fdmc86160-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+125.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 fdmc86160-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+168.17 грн
500+151.70 грн
1000+139.94 грн
10000+120.20 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 fdmc86160-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+168.17 грн
500+151.70 грн
1000+139.94 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 fdmc86160-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+169.78 грн
10+138.13 грн
25+108.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 fdmc86160-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+186.24 грн
101+140.68 грн
129+110.13 грн
500+102.83 грн
1000+94.43 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 fdmc86160-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
68+209.19 грн
250+150.53 грн
500+137.24 грн
1000+131.28 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 fdmc86160-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 14309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+234.27 грн
10+146.68 грн
100+101.97 грн
500+77.78 грн
1000+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 fdmc86160-d.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
на замовлення 44525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 FDMC86160_D-2312270.pdf
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 fdmc86160-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
на замовлення 33608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 2303907.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 fdmc86160-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160 2303907.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.