FDMC86160 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86160 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMC86160 за ціною від 69.92 грн до 272.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMC86160 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC86160 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC86160 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86160 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET |
на замовлення 44525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC86160 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 18924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC86160 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC86160 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC86160 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 1976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC86160 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC86160 | onsemi |
Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V |
на замовлення 14309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86160 | onsemi |
MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET |
на замовлення 33608 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC86160 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86160 | ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDMC86160 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDMC86160 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 98.70 грн |
| FDMC86160 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 98.70 грн |
| FDMC86160 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 129.92 грн |
| 500+ | 100.79 грн |
| FDMC86160 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
на замовлення 44525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 160.35 грн |
| 10+ | 112.67 грн |
| 25+ | 97.27 грн |
| 100+ | 85.28 грн |
| 250+ | 80.35 грн |
| 500+ | 74.71 грн |
| 3000+ | 69.92 грн |
| FDMC86160 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 210+ | 168.54 грн |
| 500+ | 152.04 грн |
| 1000+ | 140.26 грн |
| 10000+ | 120.47 грн |
| FDMC86160 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 210+ | 168.54 грн |
| 500+ | 152.04 грн |
| 1000+ | 140.26 грн |
| FDMC86160 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 170.16 грн |
| 10+ | 138.44 грн |
| 25+ | 108.48 грн |
| FDMC86160 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 76+ | 186.66 грн |
| 101+ | 140.99 грн |
| 129+ | 110.38 грн |
| 500+ | 103.06 грн |
| 1000+ | 94.64 грн |
| FDMC86160 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 68+ | 209.65 грн |
| 250+ | 150.86 грн |
| 500+ | 137.55 грн |
| 1000+ | 131.57 грн |
| FDMC86160 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 14309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 240.26 грн |
| 10+ | 150.42 грн |
| 100+ | 104.58 грн |
| 500+ | 79.76 грн |
| 1000+ | 78.59 грн |
| FDMC86160 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
на замовлення 33608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 251.62 грн |
| 10+ | 154.00 грн |
| 100+ | 94.45 грн |
| 500+ | 79.65 грн |
| 1000+ | 77.53 грн |
| 3000+ | 72.60 грн |
| FDMC86160 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 272.18 грн |
| 50+ | 175.97 грн |
| 100+ | 129.92 грн |
| 500+ | 100.79 грн |
| FDMC86160 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
MOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMC86160 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




