FDMC86160ET100 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86160ET100 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMC86160ET100 за ціною від 73.32 грн до 281.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC86160ET100 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMC86160ET100 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET |
на замовлення 6292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMC86160ET100 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V |
на замовлення 27583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMC86160ET100 | onsemi |
MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET |
на замовлення 222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMC86160ET100 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMC86160ET100 | ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET FET 100V 14 MOHM PQFN33 |
на замовлення 2174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FDMC86160ET100 | ONN |
|
на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMC86160ET100 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 131.97 грн |
| 500+ | 106.66 грн |
| FDMC86160ET100 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET
MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 6292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 224.84 грн |
| 10+ | 147.76 грн |
| 100+ | 92.17 грн |
| 500+ | 77.51 грн |
| 1000+ | 73.32 грн |
| FDMC86160ET100 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Description: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
на замовлення 27583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 245.09 грн |
| 10+ | 153.71 грн |
| 100+ | 106.92 грн |
| 500+ | 81.58 грн |
| 1000+ | 75.55 грн |
| FDMC86160ET100 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET
MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 254.99 грн |
| 10+ | 158.19 грн |
| 100+ | 101.95 грн |
| 500+ | 88.68 грн |
| 1000+ | 81.70 грн |
| 3000+ | 76.81 грн |
| FDMC86160ET100 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 281.87 грн |
| 10+ | 177.59 грн |
| 100+ | 131.97 грн |
| 500+ | 106.66 грн |
| FDMC86160ET100 |
|
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET FET 100V 14 MOHM PQFN33
MOSFET FET 100V 14 MOHM PQFN33
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMC86160ET100 |
|
Виробник: ONN
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)