FDMC86160ET100 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 79.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86160ET100 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMC86160ET100 за ціною від 72.85 грн до 280.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC86160ET100 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC86160ET100 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET |
на замовлення 6292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86160ET100 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V |
на замовлення 27583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86160ET100 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET |
на замовлення 222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86160ET100 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86160ET100 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET FET 100V 14 MOHM PQFN33 |
на замовлення 2174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
| FDMC86160ET100 | Виробник : ONN |
|
на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FDMC86160ET100 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; Idm: 204A; 65W; Power33 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 31A Power dissipation: 65W Case: Power33 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 204A |
товару немає в наявності |