Продукція > ONSEMI > FDMC86160ET100
FDMC86160ET100

FDMC86160ET100 onsemi


fdmc86160et100-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+81.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86160ET100 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMC86160ET100 за ціною від 76.35 грн до 247.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC86160ET100 FDMC86160ET100 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017602735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.50 грн
500+95.56 грн
1000+81.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100 FDMC86160ET100 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017602735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+228.05 грн
10+152.31 грн
100+109.50 грн
500+95.56 грн
1000+81.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100 FDMC86160ET100 Виробник : onsemi / Fairchild fdmc86160et100-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 6292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.32 грн
10+155.30 грн
100+96.88 грн
500+81.46 грн
1000+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100 FDMC86160ET100 Виробник : onsemi fdmc86160et100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 27583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.69 грн
10+155.34 грн
100+108.05 грн
500+82.44 грн
1000+76.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100 FDMC86160ET100 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMC86160ET100_D-2312451.pdf MOSFET FET 100V 14 MOHM PQFN33
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100 FDMC86160ET100 Виробник : ON Semiconductor fdmc86160et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86160ET100 Виробник : ONSEMI fdmc86160et100-d.pdf FDMC86160ET100 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.