Продукція > ONSEMI > FDMC86183
FDMC86183

FDMC86183 onsemi

fdmc86183-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86183 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMC86183 за ціною від 45.87 грн до 158.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMC86183 FDMC86183 onsemi fdmc86183-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.68 грн
10+98.11 грн
100+66.68 грн
500+49.94 грн
1000+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86183 FDMC86183 ON Semiconductor / Fairchild FDMC86183_D-2312385.pdf MOSFET PTNG 100/20V Nch Trench Mosfet
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86183 fdmc86183-d.pdf
FDMC86183
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+158.68 грн
10+98.11 грн
100+66.68 грн
500+49.94 грн
1000+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86183 FDMC86183_D-2312385.pdf
FDMC86183
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET PTNG 100/20V Nch Trench Mosfet
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.